MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL023N065M3S, VDSS 650 V, ID 77 A, N, HPSOF-8L de 8 pines
- Código RS:
- 333-415
- Nº ref. fabric.:
- NTBL023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
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|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 333-415
- Nº ref. fabric.:
- NTBL023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 77A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32.6mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Anchura | 10.38 mm | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 77A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32.6mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Anchura 10.38 mm | ||
Longitud 9.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El MOSFET de SiC de ON Semiconductor, optimizado para aplicaciones de interruptores de alta eficiencia, ofrece bajas pérdidas de conducción y un sólido rendimiento térmico. Su avanzado diseño mejora la fiabilidad en los sistemas de alimentación más exigentes, manteniendo un embalaje compacto. Este dispositivo garantiza un funcionamiento eficaz con una disipación de energía mínima.
Paquete H PSOF8L
Conforme a RoHS
Sin Pb
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