MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL032N065M3S, VDSS 650 V, ID 55 A, N, HPSOF-8L de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

7,73 €

(exc. IVA)

9,35 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Tira(s)
Por Tira
1 - 97,73 €
10 - 996,97 €
100 - 4996,42 €
500 - 9995,95 €
1000 +4,85 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
333-416
Nº ref. fabric.:
NTBL032N065M3S
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

EliteSiC

Encapsulado

HPSOF-8L

Número de pines

8

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Tensión directa Vf

6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

Longitud

9.9mm

Anchura

10.38 mm

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de SiC de ON Semiconductor, diseñado para interruptores de potencia eficientes, ofrece bajas pérdidas por conducción y un rendimiento térmico mejorado. Su estructura compacta garantiza un funcionamiento fiable en aplicaciones de alta potencia, al tiempo que minimiza las necesidades de espacio. Este dispositivo está optimizado para la eficiencia energética, reduciendo la disipación total de energía del sistema.

Paquete H PSOF8L

Conforme a RoHS

Sin Pb

Enlaces relacionados