MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL032N065M3S, VDSS 650 V, ID 55 A, N, HPSOF-8L de 8 pines
- Código RS:
- 333-416
- Nº ref. fabric.:
- NTBL032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
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|---|---|
| 1 - 9 | 7,73 € |
| 10 - 99 | 6,97 € |
| 100 - 499 | 6,42 € |
| 500 - 999 | 5,95 € |
| 1000 + | 4,85 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 333-416
- Nº ref. fabric.:
- NTBL032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | EliteSiC | |
| Encapsulado | HPSOF-8L | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Anchura | 10.38 mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie EliteSiC | ||
Encapsulado HPSOF-8L | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Longitud 9.9mm | ||
Anchura 10.38 mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El MOSFET de SiC de ON Semiconductor, diseñado para interruptores de potencia eficientes, ofrece bajas pérdidas por conducción y un rendimiento térmico mejorado. Su estructura compacta garantiza un funcionamiento fiable en aplicaciones de alta potencia, al tiempo que minimiza las necesidades de espacio. Este dispositivo está optimizado para la eficiencia energética, reduciendo la disipación total de energía del sistema.
Paquete H PSOF8L
Conforme a RoHS
Sin Pb
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