MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL060N065SC1, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, HPSOF-8L de 8 pines

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Código RS:
220-562
Nº ref. fabric.:
NTBL060N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

HPSOF-8L

Serie

NTBL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

74nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22.6 V

Tensión directa Vf

4.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

9.9mm

Anchura

10.38 mm

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de conexión y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.

Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia

Compatible con RoHS

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