MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL045N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, HPSOF-8L de 7 pines

Código RS:: 254-7667
Nº ref. fabric.:: NTBL045N065SC1
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL045N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, HPSOF-8L de 7 pines

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Código RS:: 254-7667
Nº ref. fabric.:: NTBL045N065SC1
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	58A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	1200V
	Serie	NTB
	Encapsulado	HPSOF-8L
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	22mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	22 V
	Tensión directa Vf	4.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	105nC
	Disipación de potencia máxima Pd	117W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 58A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V
	Serie NTB
	Encapsulado HPSOF-8L
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V
	Tensión directa Vf 4.5V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 105nC
	Disipación de potencia máxima Pd 117W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - NTBL045N065SC1

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL MOSFET de carburo de silicio (SiC) - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL

La serie NTB de ON Semiconductor de un mosfet de carburo de silicio utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, con baja resistencia de conexión y tamaño de chip compacto. Garantiza una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.

Corriente de recuperación inversa cero del diodo del cuerpo, carga de puerta ultrabaja, conmutación de alta velocidad y baja capacitancia

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL045N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, HPSOF-8L de 7 pines

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MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL MOSFET de carburo de silicio (SiC) - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL

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