MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBL075N065SC1, VDSS 650 V, ID 37 A, Mejora, HPSOF-8L de 8 pines

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Código RS:
220-564
Nº ref. fabric.:
NTBL075N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

37A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

NTBL

Encapsulado

HPSOF-8L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

85mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

139W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22.6 V

Tensión directa Vf

4.4V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

10.38 mm

Longitud

9.9mm

Altura

2.3mm

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia de conexión y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.

Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia

Compatible con RoHS

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