MOSFET Infineon, N-Canal IQDH35N03LM5CGSCATMA1, VDSS 30 V, ID 700 A, PG-WHTFN-9, Mejora de 9 pines
- Código RS:
- 348-875
- Nº ref. fabric.:
- IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,36 € | 8,72 € |
| 20 - 198 | 3,93 € | 7,86 € |
| 200 - 998 | 3,62 € | 7,24 € |
| 1000 - 1998 | 3,365 € | 6,73 € |
| 2000 + | 3,01 € | 6,02 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 348-875
- Nº ref. fabric.:
- IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 700A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 700A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de Infineon viene con una baja RDS(on) de 0,35 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo.
Pérdidas de conducción minimizadas
Conmutación rápida
Reducción de sobretensiones
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