MOSFET Infineon, N-Canal IQDH88N06LM5CGSCATMA1, VDSS 60 V, ID 447 A, PG-WHTFN-9, Mejora de 9 pines
- Código RS:
- 348-881
- Nº ref. fabric.:
- IQDH88N06LM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,105 € | 10,21 € |
| 20 - 198 | 4,60 € | 9,20 € |
| 200 - 998 | 4,24 € | 8,48 € |
| 1000 - 1998 | 3,93 € | 7,86 € |
| 2000 + | 3,525 € | 7,05 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 348-881
- Nº ref. fabric.:
- IQDH88N06LM5CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 447A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.86mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 447A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.86mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de Infineon viene con una baja RDS(on) de 0,86 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo.
Reducción de sobretensiones
Mayor capacidad de corriente máxima
Conmutación rápida
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