MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo N-Canal IQDH88N06LM5CGSCATMA1, VDSS 60 V, ID 447 A, PG-WHTFN-9, Mejora de 9 pines

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Código RS:
348-881
Nº ref. fabric.:
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

447A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.86mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de Infineon viene con una baja RDS(on) de 0,86 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. El tamaño de la versión Centre-Gate está optimizado para conexión en paralelo.

Reducción de sobretensiones

Mayor capacidad de corriente máxima

Conmutación rápida

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