MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IQE031N08LM6CGSCATMA1, VDSS 80 V, ID 127 A, Mejora, PG-WHTFN-9 de 9 pines
- Código RS:
- 762-895
- Nº ref. fabric.:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 762-895
- Nº ref. fabric.:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 127A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 127A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon está optimizado para SMPS de alto rendimiento con una tensión nominal de 80 V. No contiene halógenos según la norma IEC61249-2-21 y cumple la directiva RoHS.
Canal N
100 % a prueba de avalancha
Temperatura de funcionamiento de 75 °C
Chapado sin plomo
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