MOSFET, Tipo N-Canal Microchip DN2625K4-G, VDSS 250 V, Reducción, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
598-727
Nº ref. fabric.:
DN2625K4-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

DN2625

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

Reducción

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El transistor de modo de agotamiento de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente. Los FET verticales de DMOS son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación en las que se desea una tensión de ruptura elevada, una impedancia de entrada alta, una capacitancia de entrada baja y velocidades de conmutación rápidas.

Tensión de umbral de puerta muy baja

Diseñado para ser impulsado por fuente

Bajas pérdidas por conmutación

Capacitancia de salida efectiva baja

Diseñado para cargas inductivas

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