Conjuntos MOSFET Microchip, Canal P, Canal N-Canal TC1550TG-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, SOIC de 8 terminales (TG), Mejora
- Código RS:
- 598-873
- Nº ref. fabric.:
- TC1550TG-G
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bobina de 3300 unidades)*
24.486,00 €
(exc. IVA)
29.634,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 09 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 7,42 € | 24.486,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 598-873
- Nº ref. fabric.:
- TC1550TG-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Canal P, Canal N | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | TC1550 | |
| Encapsulado | SOIC de 8 terminales (TG) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Certificate of Compliance | |
| Anchura | 3.9 mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 4.90mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Canal P, Canal N | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie TC1550 | ||
Encapsulado SOIC de 8 terminales (TG) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Certificate of Compliance | ||
Anchura 3.9 mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 4.90mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N y canal P de alta tensión de Microchip en un encapsulado SOIC de 8 cables es un transistor de modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación ofrece las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típico de los dispositivos MOS. Al igual que con todas las estructuras MOS, este dispositivo es inmune a fugas térmicas y rupturas secundarias inducidas térmicamente, lo que garantiza un rendimiento fiable.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Libre de fallos secundarios
Baja fuga de entrada y salida
Enlaces relacionados
- MOSFET Microchip VN0550N3-G ID 350 mA, TO-92 de 3 pines
- MOSFET Microchip VN2450N8-G ID 500 mA, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET Microchip DN2535N5-G ID 150 mA, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Microchip DN3135N8-G ID 730 mA, SOT-89 de 3 pines
- Transistor MOSFET Microchip DN2535N3-G ID 120 mA, TO-92 de 3 pines
- MOSFET Microchip 2N6661 ID 350 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip TC6320TG-G ID 1 mA, SOIC de 8 pines
- MOSFET Microchip VN0104N3-G ID 350 mA , config. Simple