MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-081
Nº ref. fabric.:
SIHR120N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.125Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de 4a generación de Vishay dispone de un diodo de cuerpo rápido para mejorar la eficiencia de conmutación. Proporciona una baja cifra de mérito (FOM), capacidad efectiva reducida y pérdidas de conmutación y conducción minimizadas. Encapsulado en un encapsulado PowerPAK 8x8LR, es ideal para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, iluminación, industriales y de energía solar.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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