MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Código RS:: 653-081
Nº ref. fabric.:: SIHR120N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:: 653-081
Nº ref. fabric.:: SIHR120N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	PowerPAK
	Serie	EF
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.125Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	45nC
	Disipación de potencia máxima Pd	278W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.42mm
	Anchura	8mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado PowerPAK
	Serie EF
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.125Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC
	Disipación de potencia máxima Pd 278W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.42mm
	Anchura 8mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHR120N60EF-T1GE3

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 31 A - SIHR120N60EF-T1GE3

Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas industriales y electrónicos. Funciona como un dispositivo de modo de mejora adecuado para aplicaciones que requieren un manejo robusto de alta tensión, control de puerta rápido y montaje en superficie.

Características y ventajas:

• La clasificación de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 31 A admite una manipulación de carga sustancial • La resistencia de conexión de 0,125 Ω reduce las pérdidas por conducción • La carga de puerta típica de 45 nC permite un comportamiento de conmutación predecible • La disipación de potencia de 278 W permite un funcionamiento de alta potencia • El rango de -55 °C a 150 °C admite amplios entornos térmicos

Aplicaciones

• Apto para SMPS de alta tensión y fuentes de alimentación • Ideal para accionamientos de motores e inversores industriales • Se utiliza para conmutación de carga inductiva en sistemas de automatización • Se puede utilizar para convertidores dc-dc de alta tensión • Apto para etapas de potencia en controles de soldadura y calefacción

¿Qué encapsulado y forma de montaje utiliza para el montaje de PCB?

Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAK con una configuración de 8 contactos adecuada para la colocación automatizada.

¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?

La tensión nominal máxima de puerta a fuente es de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben permanecer dentro de este límite.

¿Cómo debe abordarse la gestión térmica para tareas de alta potencia?

El diseño debe tener en cuenta la capacidad de disipación de 278 W con cobre de PCB, vias térmicas o disipador térmico adecuados para mantener las temperaturas de unión dentro de los límites.

¿Cuál es la tensión máxima de drenaje-fuente que se puede esperar durante el funcionamiento?

El dispositivo está clasificado para resistir hasta 600 V entre el drenaje y la fuente en condiciones especificadas.