MOSFET, N-Canal Vishay SIHH155N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines

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Código RS:
279-9915
Nº ref. fabric.:
SIHH155N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SIHH

Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.159Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie SIHH de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 18 A - SIHH155N60EF-T1GE3


Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia en conjuntos de montaje en superficie. Combina una tensión nominal robusta con una capacidad de corriente continua sustancial y está diseñado para circuitos que requieren una conmutación eficiente y tolerancia térmica en un amplio rango ambiental.

Características y ventajas:


• Valor nominal de drenaje de 600 V que permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 18 A compatible con el funcionamiento de cargas pesadas
• La Rds(on) de 0,159 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 156 W ayuda a un manejo de potencia superior
• Carga de puerta típica de 38 nC para transiciones de conmutación controladas
• La potencia nominal de fuente de puerta de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar

Aplicaciones


• Apto para frontales de accionamiento de motores industriales
• Ideal para convertidores e inversores de potencia de alta tensión
• Se utiliza con etapas de rectificación síncrona y conmutación
• Se puede utilizar para circuitos de controlador LED de alta potencia
• Se emplea en equipos de prueba y medición de alta tensión

¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar de manera fiable?


Funciona en un amplio rango de –55 a 150 °C, admite arranques en frío y temperaturas de funcionamiento elevadas.

¿Qué método de embalaje y montaje utiliza para el montaje de PCB?


Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAK 8x8 diseñado para montaje en placa de perfil bajo y contacto térmico eficiente.

¿Cuántos contactos están disponibles para la conexión y el control?


Se proporcionan cuatro contactos para implementar conexiones de drenaje, fuente y puerta en configuraciones MOSFET estándar.

¿Cuál es la característica de tensión directa del dispositivo relevante para la conducción de diodo intrínseco?


El diodo integrado presenta una tensión directa típica de 1,2 V durante eventos de conducción.

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