MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK155N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
279-9918
Nº ref. fabric.:
SIHK155N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.159Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

9.9mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E con diodo de cuerpo rápido, y el transistor que lleva está fabricado de material conocido como silicio.

Tecnología de la serie E de 4.ª generación

Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg

Capacitancia efectiva baja

Calificación energética de avalancha

Reducción de pérdidas de conmutación y conducción

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