MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR100N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-077
Nº ref. fabric.:
SIHR100N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.108Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35nC

Disipación de potencia máxima Pd

347W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

8 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de 4a generación de Vishay está equipado con un diodo de cuerpo rápido para mejorar la eficiencia de conmutación. Ofrece una baja cifra de mérito (FOM), capacidad efectiva reducida y pérdidas de conmutación y conducción minimizadas. Envasado en PowerPAK 8x8LR, es ideal para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, iluminación, industriales y de energía solar.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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