MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SI8818EDB-T2-E1, VDSS 30 V, ID 2.2 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-090
Nº ref. fabric.:
SI8818EDB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SI8818EDB

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.143Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.9W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

800μm

Anchura

800μm

Altura

390μm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación ultracompacta y de alta eficiencia en sistemas con espacio limitado. Admite hasta 30 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en MICRO FOOT de 0,8 mm x 0,8 mm, utiliza la tecnología TrenchFET para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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