MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 12 V, ID 16 A, Mejora, MICRO FOOT de 6 pines

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Código RS:
180-7326
Nº ref. fabric.:
SI8483DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Encapsulado

MICRO FOOT

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

26mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

13W

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.59mm

Anchura

1 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N doble TrenchFET serie Si8483DB de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 12 V. Se trata de una disipación de potencia máxima de 13 W y se utiliza principalmente en interruptor de carga en dispositivos portátiles.

Caída de tensión baja

Bajo consumo

Mayor duración de la batería

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