MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 8 V, ID 3.5 A, Mejora, MICRO FOOT de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

456,00 €

(exc. IVA)

552,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,152 €456,00 €

*precio indicativo

Código RS:
180-7328
Nº ref. fabric.:
SI8802DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

8V

Encapsulado

MICRO FOOT

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

54mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

0.8mm

Anchura

0.8 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET serie SI8802DB de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 8 V. Se trata de una disipación de potencia máxima de 0,9 W y se utiliza principalmente en interruptor de carga con baja caída de tensión.

Baja resistencia

Libre de halógenos

Sin plomo

Enlaces relacionados