MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI8802DB-T2-E1, VDSS 8 V, ID 3.5 A, Mejora, MICRO FOOT de 4 pines

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Código RS:
180-7724
Nº ref. fabric.:
SI8802DB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

8V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

MICRO FOOT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

54mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

0.6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

0.8 mm

Longitud

0.8mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET serie SI8802DB de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 8 V. Se trata de una disipación de potencia máxima de 0,9 W y se utiliza principalmente en interruptor de carga con baja caída de tensión.

Baja resistencia

Libre de halógenos

Sin plomo

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