MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI8483DB-T2-E1, VDSS 12 V, ID 16 A, Mejora, MICRO FOOT de 6 pines
- Código RS:
- 180-7932
- Nº ref. fabric.:
- SI8483DB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay
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*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7932
- Nº ref. fabric.:
- SI8483DB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | MICRO FOOT | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.59mm | |
| Anchura | 1 mm | |
| Longitud | 1.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado MICRO FOOT | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.59mm | ||
Anchura 1 mm | ||
Longitud 1.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N doble TrenchFET serie Si8483DB de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 12 V. Se trata de una disipación de potencia máxima de 13 W y se utiliza principalmente en interruptor de carga en dispositivos portátiles.
Caída de tensión baja
Bajo consumo
Mayor duración de la batería
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