Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI8489EDB-T2-E1, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, MICRO FOOT de 4 pines

Código RS:: 818-1438
Nº ref. fabric.:: SI8489EDB-T2-E1
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI8489EDB-T2-E1, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, MICRO FOOT de 4 pines

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Código RS:: 818-1438
Nº ref. fabric.:: SI8489EDB-T2-E1
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	MICRO FOOT
	Serie	Si8489EDB
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	82mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-12V, +12V
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	1mm
	Anchura	1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	268μm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado MICRO FOOT
	Serie Si8489EDB
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -12V, +12V
	Tensión directa Vf -0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.8W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 1mm
	Anchura 1mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 268μm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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