MOSFET, N-Canal Vishay SI8824EDB-T2-E1, VDSS 20 V, ID 2.1 A, MICRO FOOT de 4 pines
- Código RS:
- 256-7398
- Nº ref. fabric.:
- SI8824EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
390,00 €
(exc. IVA)
480,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 15 de noviembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,13 € | 390,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7398
- Nº ref. fabric.:
- SI8824EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | MICRO FOOT | |
| Serie | SI8824EDB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.175Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.9W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Altura | 402μm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado MICRO FOOT | ||
Serie SI8824EDB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.175Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.9W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Altura 402μm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SI8824EDB de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,1 A - SI8824EDB-T2-E1
Este MOSFET de canal n es un transistor de conmutación compacto de montaje en superficie diseñado para la gestión de potencia de baja tensión y tareas de conmutación rápida. Funciona en rangos ambientales extremos y está diseñado para usar donde se requiere un accionamiento de puerta de tamaño pequeño y nivel lógico. El dispositivo cumple la directiva RoHS y se suministra en un encapsulado MICRO FOOT adecuado para montajes de alta densidad.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de conexión de 0,175 Ω permite reducir las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje continua de 2.1 A admite corrientes de carga moderadas
• Umbral de puerta sintonizado para compatibilidad con el nivel lógico Vgs de 5 V
• Carga de puerta típica de 2,7 nC para un rendimiento de conmutación rápido
• La disipación de potencia máxima de 0,9 W gestiona la carga térmica en diseños compactos
• La tensión directa de 1,2 V ayuda a predecir la caída de conducción
• La corriente de drenaje continua de 2.1 A admite corrientes de carga moderadas
• Umbral de puerta sintonizado para compatibilidad con el nivel lógico Vgs de 5 V
• Carga de puerta típica de 2,7 nC para un rendimiento de conmutación rápido
• La disipación de potencia máxima de 0,9 W gestiona la carga térmica en diseños compactos
• La tensión directa de 1,2 V ayuda a predecir la caída de conducción
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc alimentados por batería en diseños compactos
• Ideal para la distribución de potencia de alta densidad en conjuntos SMD
• Se utiliza con microcontroladores que requieren conmutación Vgs de 5 V
• Se puede utilizar para controladores de motor de baja tensión e interruptores de carga
• Adecuado para el control de potencia de nivel de señal en electrónica de consumo
• Ideal para la distribución de potencia de alta densidad en conjuntos SMD
• Se utiliza con microcontroladores que requieren conmutación Vgs de 5 V
• Se puede utilizar para controladores de motor de baja tensión e interruptores de carga
• Adecuado para el control de potencia de nivel de señal en electrónica de consumo
¿Qué extremos térmicos puede soportar el dispositivo en funcionamiento?
Está diseñado para funcionar de –55 a +150 °C, lo que permite su uso en entornos con temperaturas exigentes.
¿Cómo afecta el encapsulado a las consideraciones de diseño de placa?
El formato de montaje en superficie MICRO FOOT minimiza el espacio vertical y lateral, lo que facilita la colocación estrecha de componentes y montajes de perfil bajo.
¿Qué límite eléctrico deben observar los diseñadores para la tensión de drenaje-fuente?
La tensión máxima de drenaje-fuente es de 20 V, por lo que los diseños deben mantener las tensiones del sistema por debajo de este umbral.
¿Cómo influye el comportamiento de conmutación en la selección de accionamiento de puerta?
Con una carga de puerta típica de 2,7 nC, los controladores de puerta deben suministrar corriente suficiente para las velocidades de borde deseadas sin pérdidas excesivas.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V MICRO FOOT de 4 pines
- MOSFET VDSS 8 V MICRO FOOT de 6 pines
- MOSFET VDSS 8 V Mejora, MICRO FOOT de 4 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, MICRO FOOT de 4 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, MICRO FOOT de 6 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, MICRO FOOT de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS -30 V Modo de mejora, MICRO FOOT de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V Mejora, PowerPAK de 4 pines