MOSFET, N-Canal Vishay SI8916EDB-T6-E1, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Mejora, MICRO FOOT de 4 pines

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Código RS:
735-232
Nº ref. fabric.:
SI8916EDB-T6-E1
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

MICRO FOOT

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.77W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.11mm

Altura

130μm

Anchura

1.11mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

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