MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQJQ140ER-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 413 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-124
Nº ref. fabric.:
SQJQ140ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

413A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQJQ140ER

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00065Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

288nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

10.42mm

Altura

1.6mm

Anchura

8 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para una conmutación de alta eficiencia en sistemas compactos y de alta densidad de potencia. Admite hasta 40 V de tensión de fuente de drenaje y proporciona un manejo de corriente excepcional con hasta 413 A a 175 °C. En un encapsulado delgado PowerPAK 8x8LR, aprovecha la tecnología TrenchFET Gen IV para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico superior.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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