MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SQJQ140ER-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 413 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-124
Nº ref. fabric.:
SQJQ140ER-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

413A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQJQ140ER

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00065Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

288nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.42mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

8mm

Altura

1.6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para una conmutación de alta eficiencia en sistemas compactos y de alta densidad de potencia. Admite hasta 40 V de tensión de fuente de drenaje y proporciona un manejo de corriente excepcional con hasta 413 A a 175 °C. En un encapsulado delgado PowerPAK 8x8LR, aprovecha la tecnología TrenchFET Gen IV para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico superior.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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