MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Vishay SQ4532CEY-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7.3 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 736-653
- Nº ref. fabric.:
- SQ4532CEY-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 736-653
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- SQ4532CEY-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.19Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.19Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
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