MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMLT40R036M2HXTMA1, VDSS 400 V, ID 50 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- Código RS:
- 762-908
- Nº ref. fabric.:
- IMLT40R036M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
5,59 €
(exc. IVA)
6,76 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1800 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,59 € |
| 10 - 49 | 4,52 € |
| 50 - 99 | 3,47 € |
| 100 + | 2,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 762-908
- Nº ref. fabric.:
- IMLT40R036M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.2mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.2mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET CoolSiC de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona y dispone de tensión de umbral de puerta de referencia. Además, dispone de tecnología de interconexión XT para ofrecer el mejor rendimiento térmico de su clase.
100 % a prueba de avalancha
Tensión de control de puerta recomendada
Calificado para aplicaciones industriales
Se utiliza para almacenamiento de energía, SAI y formación de baterías
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- Transistor de potencia VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 9 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines