MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMLT40R015M2HXTMA1, VDSS 400 V, ID 111 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines

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Código RS:
762-910
Nº ref. fabric.:
IMLT40R015M2HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

111A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

400V

Encapsulado

PG-HDSOP-16

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

16

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

4.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

62nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.1mm

Altura

15.2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET CoolSiC de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona y dispone de tensión de umbral de puerta de referencia. Además, dispone de tecnología de interconexión XT para ofrecer el mejor rendimiento térmico de su clase.

100 % a prueba de avalancha

Tensión de control de puerta recomendada

Calificado para aplicaciones industriales

Se utiliza para almacenamiento de energía, SAI y formación de baterías

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