MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQD50P04-09L_NE3, VDSS -40 V, ID -50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
904-967
Nº ref. fabric.:
SQD50P04-09L_NE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

TO-252

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0094Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

103nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

ROHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
TW
El MOSFET de canal P de Vishay está diseñado para gestionar la potencia de manera eficiente en entornos de alta temperatura. Funciona de manera eficaz en aplicaciones de automoción con sus especificaciones robustas.

Sin halógenos, conforme a IEC 61249-2-21 para un uso respetuoso con el medio ambiente

Dispone de baja resistencia en estado activo, lo que garantiza un rendimiento eficiente

Cualificado conforme a AEC-Q101, cumple estrictos estándares de automoción

Resistencia térmica excepcional para un mejor rendimiento con cargas elevadas

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