Módulos MOSFET Microchip, N-Canal MSCSMC120AM04TBZ2EG, VDSS 1200 V, ID 236 A, Módulo, Modo de mejora de 33 pines
- Código RS:
- 931-017
- Nº ref. fabric.:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- Fabricante:
- Microchip
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 236A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | MSCSMC | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Directo | |
| Número de pines | 33 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5mΩ | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 604W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 726nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 21V | |
| Tensión directa Vf | 4.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 56.7mm | |
| Anchura | 62.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 236A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie MSCSMC | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Directo | ||
Número de pines 33 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 604W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 726nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 21V | ||
Tensión directa Vf 4.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 56.7mm | ||
Anchura 62.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo de alimentación de carburo de silicio avanzado de Microchip ofrece un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta eficiencia, especialmente en entornos exigentes que requieren una gestión de potencia robusta y capacidades térmicas.
La tecnología SiC garantiza bajas pérdidas de conmutación y conducción
El termistor integrado facilita un control eficaz de la temperatura
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