Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

Código RS:: 202-5484
Nº ref. fabric.:: SCTH40N120G2V7AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

18,28 €

(exc. IVA)

22,12 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 49	18,28 €
50 - 99	14,92 €
100 - 249	14,53 €
250 - 499	14,16 €
500 +	13,80 €

Código RS:: 202-5484
Nº ref. fabric.:: SCTH40N120G2V7AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTH40N120G2V7AG

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	H2PAK-7
Serie	SCT
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,105 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Material del transistor	SiC
Número de Elementos por Chip	1

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

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Especificaciones

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