Nº ref. fabric.

Módulos MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1.2 kV, ID 33 A, H2PAK-7, Reducción de 7 pines

Código RS:: 202-5484
Nº ref. fabric.:: SCTH40N120G2V7AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Módulos MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCTH40N120G2V7AG, VDSS 1.2 kV, ID 33 A, H2PAK-7, Reducción de 7 pines

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Código RS:: 202-5484
Nº ref. fabric.:: SCTH40N120G2V7AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	Módulos MOSFET
	Tipo de canal	N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)	1.2 kV
	Corriente continua máxima de drenaje (ld)	33 A
	Encapsulado	H2PAK-7
	Modo de canal	Reducción
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)	0.105 Ω
	Tipo de montaje	Superficie
	Serie	SCT

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto Módulos MOSFET
	Tipo de canal N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV
	Corriente continua máxima de drenaje (ld) 33 A
	Encapsulado H2PAK-7
	Modo de canal Reducción
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.105 Ω
	Tipo de montaje Superficie
	Serie SCT

Datasheet - SCTH40N120G2V7AG

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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