MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7907TRPBF, VDSS 30 V, ID 9.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
130-0964
Número de artículo Distrelec:
304-36-987
Nº ref. fabric.:
IRF7907TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión directa Vf

1V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


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