MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 9.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

1.320,00 €

(exc. IVA)

1.600,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 4000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
4000 +0,33 €1.320,00 €

*precio indicativo

Código RS:
168-5975
Nº ref. fabric.:
IRF7907TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Enlaces relacionados