MOSFET ROHM, N-Canal RQ3L050GNTB, VDSS 60 V, ID 12 A, HSMT, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
133-3297
Nº ref. fabric.:
RQ3L050GNTB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

60 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

12 A

Encapsulado

HSMT

Modo de canal

Mejora

Número de pines

8

Número de elementos por chip

1

Configuración de transistor

Simple

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

850 μm

Longitud

3.3 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

86 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V, -20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

14.8 W

Tipo de montaje

Superficie

Serie

RQ3L050GN

Anchura

3.1 mm

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


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