MOSFET ROHM RQ3L050GNTB, VDSS 60 V, ID 12 A, HSMT de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:
133-3297
Nº ref. fabric.:
RQ3L050GNTB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Serie

RQ3L050GN

Tipo de Encapsulado

HSMT

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

86 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

14,8 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,3 nC a 10 V

Longitud

3.3mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

0.85mm

Transistores MOSFET de canal N, ROHM



Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor

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