MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RQ3L050GNTB, VDSS 60 V, ID 12 A, HSMT, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 133-3297
- Nº ref. fabric.:
- RQ3L050GNTB
- Fabricante:
- ROHM
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 133-3297
- Nº ref. fabric.:
- RQ3L050GNTB
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | HSMT | |
| Serie | RQ3L050GN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 86mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20, -20V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Anchura | 3.1mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado HSMT | ||
Serie RQ3L050GN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 86mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20, -20V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Anchura 3.1mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
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