MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

1.008,00 €

(exc. IVA)

1.220,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 8000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2000 +0,504 €1.008,00 €

*precio indicativo

Código RS:
145-2756
Nº ref. fabric.:
SQD19P06-60L_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQ Rugged

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Tensión directa Vf

-1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.38mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
TW

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados