MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQD19P06-60L_GE3, VDSS 60 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
819-3936
Nº ref. fabric.:
SQD19P06-60L_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQ Rugged

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.38mm

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
TW

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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