MOSFET Infineon, Tipo N-Canal 2N7002DWH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
145-9487
Nº ref. fabric.:
2N7002DWH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SC-88

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.4nC

Tensión directa Vf

0.96V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

0.8mm

Longitud

2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.25 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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