MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 950 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
827-0115
Nº ref. fabric.:
BSD235NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

950mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.32nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

2mm

Altura

0.8mm

Anchura

1.25 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon


La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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