MOSFET Infineon BSD235NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 950 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
- Código RS:
- 165-5872
- Nº ref. fabric.:
- BSD235NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 28/01/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,101 €
(exc. IVA)
0,122 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 3000 - 3000 | 0,101 € | 303,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,096 € | 288,00 € |
| 9000 + | 0,09 € | 270,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 165-5872
- Nº ref. fabric.:
- BSD235NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 950 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V |
| Serie | OptiMOS 2 |
| Tipo de Encapsulado | SOT-363 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 6 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 600 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.7V |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 mW |
| Configuración de transistor | Aislado |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -12 V, +12 V |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Ancho | 1.25mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 0,32 nC a 4,5 V |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 2mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 0.8mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 165-5872
- Nº ref. fabric.:
- BSD235NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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