MOSFET Infineon, Tipo N-Canal BSD235NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 950 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
165-5872
Nº ref. fabric.:
BSD235NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

950mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Encapsulado

SC-88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.32nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

1.25 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2mm

Altura

0.8mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

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