MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-6855
Nº ref. fabric.:
STB60NF06LT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET II

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

Anchura

9.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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