MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
906-4668
Nº ref. fabric.:
STB100N6F7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET F7

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.6nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.6mm

Anchura

9.35mm

Estándar de automoción

No

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