MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
906-4668
Nº ref. fabric.:
STB100N6F7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

STripFET F7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.35 mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics


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Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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