MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB60NF06LT4, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 795-6944
- Nº ref. fabric.:
- STB60NF06LT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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| 25 - 45 | 2,186 € | 10,93 € |
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| 125 - 245 | 1,768 € | 8,84 € |
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- Código RS:
- 795-6944
- Nº ref. fabric.:
- STB60NF06LT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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