MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-8231
Nº ref. fabric.:
STB100N6F7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

STripFET F7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.35 mm

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics


La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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