MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
165-7113
Nº ref. fabric.:
SIHP8N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.85Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.01mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.51mm

Anchura

4.65 mm

Estándar de automoción

No

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