MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
168-8749
Nº ref. fabric.:
IRLR024NTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Altura

2.39mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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