MOSFET, N-Canal Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines

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Código RS:
169-6089
Nº ref. fabric.:
SI1302DL-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

600mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

Si1302DL

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

480mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

280mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

800mV

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.86nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.2mm

Anchura

1.35mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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