Nº ref. fabric.

MOSFET, N-Canal Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines

Código RS:: 655-6795
Nº ref. fabric.:: SI1302DL-T1-E3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, N-Canal Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines

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Código RS:: 655-6795
Nº ref. fabric.:: SI1302DL-T1-E3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	600mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	Si1302DL
	Encapsulado	SC-70
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	480mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	280mW
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.86nC
	Tensión directa Vf	800mV
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1mm
	Longitud	2.2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.35mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 600mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie Si1302DL
	Encapsulado SC-70
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 480mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 280mW
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.86nC
	Tensión directa Vf 800mV
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1mm
	Longitud 2.2mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.35mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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