MOSFET Toshiba TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-2385P
Nº ref. fabric.:: TPN14006NH,L1Q(M
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON de 8 pines, , config. Simple

1850 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

0,444 €

(exc. IVA)

0,537 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
50 - 90	0,444 €
100 - 990	0,401 €
1000 - 2990	0,393 €
3000 +	0,383 €

Código RS:: 171-2385P
Nº ref. fabric.:: TPN14006NH,L1Q(M
Fabricante:: Toshiba

Documentación Técnica

Datasheet

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

Reguladores de tensión de conmutación
Controladores para motor
Convertidores dc-dc
Conmutación de alta velocidad
Carga de puerta pequeña: QSW = 5,5 nC (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 11 mΩ (típ)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 60 V)
Modo de mejora: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,2 mA)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	41 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	30 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.1mm
Altura	0.85mm
Tensión de diodo directa	1.2V

Código RS:: 171-2385P
Nº ref. fabric.:: TPN14006NH,L1Q(M
Fabricante:: Toshiba

Datasheet

MOSFET Toshiba TPN14006NH,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 65 A, TSON de 8 pines, , config. Simple

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