MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K333R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
171-2399
Nº ref. fabric.:
SSM3K333R
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

42mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.8mm

Longitud

2.9mm

Altura

0.8mm

COO (País de Origen):
TH
accionamiento de 4,5 V

Baja resistencia de conexión: RDS(ON) = 42 mΩ (máx.) (@VGS = 4,5 V)

RDS(ON) = 28 mΩ (máx.) (@VGS = 10 V)

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