MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N-Canal SI2328DS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.15 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9229
Nº ref. fabric.:
SI2328DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.45nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.25W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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