MOSFET Vishay SI2328DS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1,15 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9229
Nº ref. fabric.:
SI2328DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1,15 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,45 nC a 10 V

Longitud

3.04mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

1.4mm

Altura

1.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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