MOSFET Vishay, N-Canal SI2328DS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.15 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9229
Nº ref. fabric.:
SI2328DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

100 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

1.15 A

Encapsulado

SOT-23

Modo de canal

Mejora

Número de pines

3

Configuración de transistor

Simple

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

1.02 mm

Longitud

3.04 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

2.4 Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20 V, +20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

1.25 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

1.45 nC

Anchura

1.4 mm

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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