MOSFET Vishay IRF640SPBF, VDSS 200 V, ID 18 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
178-0826
Nº ref. fabric.:
IRF640SPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

200 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

130 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

9.65mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

70 nC a 10 V

Altura

4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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