Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8

Código RS:: 178-3932
Nº ref. fabric.:: SiZ348DT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8

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Código RS:: 178-3932
Nº ref. fabric.:: SiZ348DT-T1-GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay Siliconix
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	PowerPAIR 3 x 3
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	10mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	16.7W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12.1nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3mm
	Anchura	3 mm
	Altura	0.75mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay Siliconix
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado PowerPAIR 3 x 3
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 16.7W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.1nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3mm
	Anchura 3 mm
	Altura 0.75mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: TW

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching

MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8

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